Stage de fabrication de composants MOS silicium

Cette formation d'une semaine sur le site de l'AIME donne une approche complète, théorique et pratique, sur les opérations fondamentales de fabrication des circuits intégrés silicium en technologie NMOS, depuis la réception du substrat de silicium jusqu' à la mise en boîtier du composant final et sa caractérisation électrique. Parallèlement, il est procédé à la caractérisation physique des différentes étapes de fabrication.
Le stage se déroule en salle blanche à l'AIME de Toulouse (Atelier Interuniversitaire de Micro-nano-Electronique), pôle CNFM de Toulouse) et fait appel à des moyens matériels lourds.

Oxydation du Wafer
Gravure et diffusion des zones actives
Dépôt et gravure du polysilicium de grille
Ouverture des contacts
Métallisation
Test sous pointes
Mise en boîtier
Caractérisation électrique